К выпуску готовится антикризисный SSD Samsung 990 с PCIe 4.0 и скоростью чтения до 7250 Мбайт/с

Источник изображения: Samsung
Вместо DRAM-буфера в Samsung 990 используется технология HMB (Host Memory Buffer — не путать с HBM); накопитель построен на собственных чипах 3D V-NAND от Samsung, корейский производитель установил и собственный контроллер. Для модели на 1 Тбайт заявлены скорости чтения и записи 7150 и 6450 Мбайт/с соответственно; версия на 2 Тбайт немного быстрее: 7250 и те же 6450 Мбайт/с соответственно. Для накопителя объёмом 2 Тбайт скорость произвольного чтения составляет до 850 тыс. операций чтения и произвольной записи — до 1200 тыс. операций в секунду.
На старшую модель даётся гарантия сроком на три года, лимит записи составляет 800 Тбайт; на младшую — те же три года или 400 Тбайт. По этим показателям модель оказывается ниже представителей серии Samsung 990 PRO. У некоторых реселлеров этот SSD появился как «NVMe начального уровня». Сроки выхода и цены на новые твердотельные накопители Samsung пока не озвучила.
Источник:
3DNews