Источник изображения: CXMT
Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о планах компании 10 октября на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам. По его словам, разработка архитектуры 4F
2 достигла существенного прогресса, а выпуск новых модулей DDR5 RDIMM ожидается до конца года.
В основе технологии лежит транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. Такая конструкция улучшает управление током, помогает снизить утечки и уменьшить влияние эффектов короткого канала. Кроме того, она позволяет сократить площадь ячеек памяти и повысить плотность записи данных.
Обозначение 4F
2 описывает площадь, которую занимает одна ячейка памяти на кристалле. Здесь F — условный минимальный размер элемента структуры памяти, а число перед ним показывает, во сколько раз площадь ячейки превышает квадрат со стороной F. Архитектура 4F
2 предполагает, что одна ячейка DRAM занимает площадь, равную четырём таким квадратам. Для сравнения, в распространённой архитектуре 6F
2 на одну ячейку приходится шесть квадратов. Чем меньше площадь ячейки, тем больше их можно разместить на одном кристалле, а значит, тем выше может быть ёмкость микросхемы при сопоставимых размерах.
Первые варианты 4F
2 предусматривали использование планарных транзисторов, а производство ячеек памяти и периферийных логических схем зависело от общих условий литографии и легирования. Из-за этих ограничений ранние разработки уступали по совокупным характеристикам отработанным решениям класса 6F
2.
По мере того как возможности дальнейшего уменьшения ячеек 6F
2 приближаются к технологическим пределам, производители исследуют трёхмерные варианты реализации 4F
2. Среди возможных подходов — разделение процессов изготовления DRAM и КМОП-логики, а также гибридное соединение кремниевых пластин для организации высокоскоростных межсоединений. Это позволило бы независимо оптимизировать плотность ячеек и производительность логики.
По словам Цао Каньюя, CXMT располагает более чем 300 опубликованными семействами патентов, связанными с архитектурой 4F
2. Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. В сентябре генеральный директор компании Чжао Лунь сообщил, что в первом полугодии вклад серверных продуктов в бизнес производителя увеличивался.
В последнее время CXMT ускорила освоение новых поколений памяти. В конце августа компания объявила о начале массового производства LPDDR6, став одной из первых, кто приступил к коммерциализации этого стандарта. В сентябре ChangXin Memory Technologies сообщила о запуске массового производства памяти DRAM пятого поколения (G5). По заявлению компании, её характеристики приближаются к уровню передовых мировых разработок.
По данным Counterpoint Research, во втором квартале текущего года CXMT занимала около 7 % мирового рынка DRAM по выручке, располагаясь на четвёртом месте среди производителей.
Samsung, SK hynix и Micron также разрабатывают память на основе архитектуры 4F
2 или аналогичных трёхмерных решений. Если CXMT удастся выпустить новые модули в заявленные сроки и добиться их квалификации у заказчиков, компания сможет укрепить позиции на серверном рынке. Пока, однако, речь идёт о планах выпуска, а не о мировом первенстве в массовом производстве 4F
2 DRAM.
Было интересно?
Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it
Источник: 3DNews
